真空腔體是原子沉積系統(tǒng)ALD的核心部件，其設計直接影響薄膜生長的均勻性、前驅(qū)體利用率及設備穩(wěn)定性，需兼顧真空性能、溫度兼容性與工藝適配性。?材質(zhì)選擇需平衡耐腐蝕性與真空特性。主體材質(zhì)優(yōu)先選用316L不銹鋼，其含鉬量達2-3%，可抵御多數(shù)金屬有機前驅(qū)體(如三甲基鋁)的腐蝕，且內(nèi)壁經(jīng)電解拋光(Ra≤0.02μm)后能減少氣體吸附與殘留。對于高溫ALD工藝(600℃)，腔體頂部可采用石英材質(zhì)窗口，既滿足紅外加熱穿透需求，又具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。腔體法蘭需采用無氧銅材質(zhì)，通過冷加工硬化...

IPS愛譜斯（中國）有限公司將參加于8月10日至13日在內(nèi)蒙古呼和浩特市舉辦的“納米多孔材料前沿發(fā)展論壇”。本次論壇匯聚國內(nèi)外頂尖學者、行業(yè)專家及企業(yè)代表，共同探討納米多孔材料的最新科研成果、技術(shù)突破及產(chǎn)業(yè)化應用前景。展會信息時間：2025年8月10日-13日地點：中國·呼和浩特IPS展位：12（歡迎洽談合作）聚焦材料創(chuàng)新，IPS展示核心技術(shù)IPS愛譜斯中國有限公司（德國IPS在華分支機構(gòu)）專注于高精度電化學測試設備的研發(fā)與生產(chǎn)，本次參展將重點展示：旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）系...

RRDE旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極的環(huán)盤間距是影響檢測靈敏度的關(guān)鍵幾何參數(shù)，指圓盤電極邊緣與環(huán)形電極內(nèi)緣之間的徑向距離，通常在0.1-2mm范圍內(nèi)。這一微小間隙通過調(diào)控傳質(zhì)效率與中間體捕獲率，直接影響電化學反應檢測的靈敏度與準確性。?間距對傳質(zhì)效率的影響呈現(xiàn)非線性關(guān)系。當間距從0.1mm增至0.5mm時，圓盤產(chǎn)生的反應中間體向環(huán)電極擴散的路徑縮短，捕獲效率從60%升至85%。實驗數(shù)據(jù)顯示，在氧還原反應測試中，0.2mm間距的環(huán)電流響應比0.8mm時高3倍，說明窄間距更利于捕捉短壽命中間體(...

RRDE旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極是電化學研究中的高精度儀器，廣泛應用于電催化、能源材料分析等領(lǐng)域。其故障可能影響實驗數(shù)據(jù)的準確性，甚至損壞核心部件。掌握科學的診斷與維修技巧，對保障設備穩(wěn)定運行至關(guān)重要。?一、常見故障類型與診斷方法1.?轉(zhuǎn)速異常：?現(xiàn)象：設備設定轉(zhuǎn)速與實際轉(zhuǎn)速偏差5%(如設定1000rpm，實測950rpm或1050rpm)。?診斷：檢查電機驅(qū)動器參數(shù)(如電壓、頻率設置)是否匹配；觀察皮帶或聯(lián)軸器是否松動(間隙0.5mm需緊固)；用轉(zhuǎn)速儀直接測量轉(zhuǎn)盤實際轉(zhuǎn)速，確認是否為機...

RRDE旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極是電化學研究中的關(guān)鍵工具，廣泛應用于氧還原反應(ORR)、析氫反應(HER)及中間產(chǎn)物檢測等領(lǐng)域。其性能高度依賴于制備工藝，而工藝優(yōu)化直接影響傳質(zhì)效率、電流分布及數(shù)據(jù)可靠性。本文從材料選擇、結(jié)構(gòu)設計及表面處理三方面探討RRDE的制備工藝及其對傳質(zhì)效率的提升機制。?一、材料選擇：基底與修飾層的協(xié)同優(yōu)化RRDE的核心部件包括盤電極和環(huán)電極，其材料需兼顧導電性、化學穩(wěn)定性和機械強度。常用基底為玻碳(GC)或鉑(Pt)，其中玻碳因其低成本和高電導率成為主流選擇。為...